Postautor: yurek » pt 04 lut 2005, 12:21
Witaj PI,
1) Schematu nie zamawialem i nie jest mi potrzebny - ale dziekuje:-)
2) Statyczny pomiar polprzewodnikow, ma sens przy uzyciu przyrzadu pomiarowego, wyposazonego w specjalny zakres, zwykle oznaczony symbolem diody. Wowczas bowiem mierzony jest nie opor, a spadek napiecia na danym zlaczu, i tak dla Si - odpowiednio ok. 0,45-0,75V, a Ge od 0,15 do 0,35V. *Chodzi o napięcia w kierunku przewodzenia.
Poniewaz złącza w półprzewodnikach charakteryzują się dużą nieliniowością, nie da się na nich zmierzyc spadku napiecia, nie wymuszajac plyniecia przez nie stalego pradu! I tu leży zasadnicza roznica zasady pomiarów:
omomierz - pomiar polprzewodnikow.
Omomierz> przyrząd "serwuje" mierzonemu opornikowi stale napiecie, opornik jest elementem liniowym, plynący przez opór prąd jest odwrotnie proporcjonalny do mierzonego oporu.
Pomiaru polprzewodnikow> przyrząd wymusza płynięcie przez mierzone złącze stałego pradu, w tej konfiguracji przyrząd przypomina zrodlo pradowe.
Kolega Przylep nie mógł się był połapać, próbując mierzyć tranzystory posługując się zwykłym omomierzem. Faktem jednak jest, że przebity ("spalony") tranzystor można "wyczaić" także i zwykłym omomierzem.
Pozdrawiam
Muzyka łagodzi obyczaje(i nie tylko).