Postautor: Bartłomiej Okoński » śr 12 paź 2005, 22:25
Witam!
Sposób sterowania tranzystora bipolarnego (np. npn) za pośrednictwem tranzystora unipolarnego (np. MOSFET) w tym zasilaczu jest dobrze znany w literaturze. To klasyczne rozwiazanie w świecie elektroniki!
Przemysł elektroniczny (producenci półprzewodników) produkują tranzystory o specjalnej konstrukcji, w której są dwa tranzystory: bipolarny i unipolarny w ten sposób połączone. Ten drugi tranzystor steruje tym pierwszym. Takie elementy noszą nazwę IGBT.
Łączą one najlepsze cech obu typów elementów: niskie napięcie nasycenia CEsat przy bardzo dużych prądach, wysokie napięcie kolektora i sterowanie quasistatyczne polem elektrycznym.
Moim zdaniem warto uważnie przyjrzeć się niektórym rozwiązaniom jakie używam w swoich układach, bo są wydajne, stabilne i proste.
Bardzo łatwo z tranzystorów polowych mocy (POWER MOSFET) robić ciekawe układy elektroniczne. Świetnie się nadają przykładowo jako źródła prądowe o charakterystyce rezystancyjnej (taki sztuczny, regulowany rezystor bardzo dużej mocy), źródła prądowe klasyczne, źródła prądowe dynamiczne (zmiana z jednej wartości zaprogramowanej prądu na inną wartosć, w tym również zero np, 100 razy na sekundę).
Ktoś może słusznie zapytać po co te układy? - odpowiedź jest łatwa: - stanowią one składniki większych urzadzeń: przykładowo miernik rezystancji wewnętrznej akumulatorów i ogniw (baterii) służący do błyskawicznej oceny stopnia zużycia i naładowania akumulatorów.
Ponieważ wielokrotnie moje poglądy i podobnie do mnie myślących osób były przedmiotem ostrej krytyki, sądzę, że nowoczesne rozwiązania powinny być zapomniane. Najbardziej podoba mi się krytyka osób które najmniej mają do zaoferownia, zero własnych rozwiązań.
Pozdrawiam wszystkich serdecznie!
Bartłomiej Okoński