MC33153 a IGBT

Bolek1234 · Postautor: **Bolek1234** » ndz 25 gru 2005, 23:46

Do czego służy wejście "Desaturation input"w układzie MC33153
(jest to sterownik IGBT) ?
Czy jest to rodzaj zabezpieczenia przed wejściem
w nasycenie , czy odmiana zabezpieczenia przed przekroczeniem
prądu kolektora tr. IGBT ?
Czy dobierając napięcie sterujące bramką mogę
uchronić tranzystor przed przekroczeniem Ic max ?

movzx · Postautor: **movzx** » pn 26 gru 2005, 21:16

Z dokumentacji wynika ze jest to zabezpieczenie przed *wyjsciem* z nasycenia - zeby IGBT nie pracowal aktywnie. Zabezpieczenie przeciwzwarciowe to osobny uklad.
Mam mgliste pojecie o tych tranzystorach wiec odsylam do dokumentacji dostepnej na Elenocie - jest wszystko opisane. W Google tez cos mozna znalezc np. pod "IGBT desaturation"
Pozdr.

Bolek1234 · Postautor: **Bolek1234** » wt 27 gru 2005, 21:37

Czy ch-ka opisana jako "Transfer characteristic" wytycza maksymalny
dopuszczalny prąd Ic max w zależności od napięcia sterującego bramkę
(dla tr. IGBT) ?
Czyli czy przekroczenie tego prądu-dla określonego Vge
(nawet w krótkim impulsie )
spowoduje zniszczenie elementu ?

Bolek1234 · Postautor: **Bolek1234** » śr 28 gru 2005, 12:33

Jakoś nikt się nie kwapi z odpowiedzią---
Panowie z polibudy --naprawdę nikt niewie?!
Taaaki duży wydział AEI i nikt nic nie umie?!

Gość · Postautor: **Gość** » śr 28 gru 2005, 16:25

heh, przeciętny absolwent polibudy to igbt w czasie studiów na oczy niewidział, a jak działa tranzystor to też niebardzo wie:(

Bolek1234 · Postautor: **Bolek1234** » śr 28 gru 2005, 18:18

Mam nadzieję że ja się tam cosik nauczę...
A nie tylko pochodnych...

PI · Postautor: PI » czw 29 gru 2005, 0:56

Witam;każdy element półprzewodnikowy ma jakieś swoje wartości graniczne napięcia, prądu, mocy itd. Przekroczenie ich zazwyczaj uszkadza element. Transfer characteristic to char.. przejsciowa, czyli zależność Ic=f(Uge) dla okreslonej stałej wartości Uce. Wyznaczenie z niej przyrostowej wielkości (delta)Ic/(delta)Uge daje transkonduktancję, czyli wzmocnienie tranzystora, podawane w [S] (siemensach). Pole dopuszczalnych roboczych wartości prądu, napięcia i mocy podawane jest zazwyczaj na char. wyjściowej - jest to t.zw. SOA (save operating area). Na tej charakterystyce widać najlepiej koincydencje pomiędzy parametrami w warunkach rzeczywistych, z uwzględnieniem temperatury także. Jest to ta częć char. elementu, z której można odczytac najwięcej użytecznych informacji. ITD. Z przykrościa stwierdzam, że jest to najbardziej elementarna wiedza w dziedzinie podzespołów i przyrządów półprzewodnikowych. I nie tylko.

Bolek1234 · Postautor: **Bolek1234** » czw 29 gru 2005, 11:33

Co w takim razie oznacza (przy tej charakterystyce) podany tp =80us
(np. dla BUP314D) ?
a jeśli już patrzeć na ch-kę SOA to jak mogę z niej
odczytać dopuszczalny krótkotrwały impuls prądowy
dla zmieniającego się Uge.Tam jest wytyczona ch-ka dla
ustalonego Uge (15V) . Jak (czy) zmniejszające się Uge w czasie
gdy płynie duży prąd Ic wpłya na tą strefę bezpiecznej pracy?
(Taki efekt wydaje mi się będzie spowodowany umieszczeniem
rezystora 0.1ohma pomiędzy emiterem a masą--do kontroli prądu).
Co by oznaczało że ten rezystor nie może być umieszczony w
obwodzie emitera.
(Jeśli Uge jest wzgledem masy)

KP · Postautor: KP » pt 30 gru 2005, 9:51

Witam.
Tranzystory IGBT zazwyczaj są sterowane napięciem +15/-5 do -15 V.
Nie można uchronić tranzystora przed przekroczeniem prądu wartością napięcia sterującego. W przypadku zbyt niskiego napięcia załączającego i dużego prądu można go wręcz uszkodzić.
Desaturation input jest obecnie standardowym zabezpieczeniem IGBT. Źródło napięciowe 270uA polaryzuje diodę D1 i niejako wymusza spadek napięcia na tranzystorze. Przy zbyt dużym prądzie Ic napięcie na wejściu desaturation może przekroczyć 6,5V i wówczas następuje wyłączenie IGBT i wystawienie flagi (sygnału FAULT)- informacji do układu sterującego o przekroczeniu prądu.
Oczywiście osiągnięcie 6,5V dla różnych tranzystorów będzie odpowiadać trochę innemu prądowi Ic, ale generalnie nie jest wówczas przekroczony prąd powodujądy zniszczenie IGBT. Odsyłam do dokumentacji HP316J tam również jest to opisane. Dodam jeszcze że dla IGBT typu trench stosuje się bardzo podobne zabezpieczenie lecz z mniejszym napięciem wyłączającym gdyż ich ch-ka jest inna.
Pozdrawiam

Bolek1234 · Postautor: **Bolek1234** » pt 30 gru 2005, 10:48

Dzięki wielkie, to by wyjaśniało dlaczego rezystor pomiarowy
w obwodzie emitera może zaszkodzić (jeśli odkładające się na nim
napięcie w czasie przeciążeń ma wartość kilku woltów)
Czyli takie ujemne sprzężenie nie stosuje się w obwodach impulsowych
gdy tr. pracuje jako "klucz"(tzn. rezystor ten nie może do tego
służyć)
Jeszcze raz dzięki!

Jeszcze jedno pytanie-- jak długo tranzystor może pracować
przy przeciążeniu (ale nie przekraczając obszaru bezpiecznej pracy)
tzn. czy może to być tylko kilka impulsów po czym
całkowite wyłączenie , czy tranzystor może długo pozostawać
przeciążony(impulsami prądu o czasie do 10us)?

Forum Elektroniczne

MC33153 a IGBT

MC33153 a IGBT

IGBT

Desaturation input

Kto jest online